परिपथ में प्रयुक्त डायोड का बैरियर वोल्टेज $0.5\,V$ है और अधिकतम पावर रेटिंग $10\,mW$ है। डायोड के साथ श्रेणीक्रम में जुड़े प्रतिरोध $R$ का न्यूनतम मान क्या होना चाहिए?

$p-n$ जंक्शन के निर्माण के दौरान कौन सी दो महत्वपूर्ण प्रक्रियाएं होती हैं?

दो एमीटर $A_1$ और $A_2$ को दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार जोड़ा गया है। एमीटर के आंतरिक प्रतिरोध की उपेक्षा करते हुए, मीटर $A_1$ में रीडिंग क्या है ($\text{A}$ में)?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $2 \times 10^{-6} \,m$ है और विभव प्राचीर (barrier potential) $0.3 \,V$ है। जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है

जब एक डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है,तो उसका वोल्टेज ड्रॉप $0.5\, V$ होता है। डायोड से गुजरने वाली धारा की सुरक्षित सीमा $10\, mA$ है। यदि परिपथ में $1.5\, V$ emf वाली बैटरी का उपयोग किया जाता है,तो डायोड के साथ श्रेणीक्रम में जोड़े जाने वाले न्यूनतम प्रतिरोध का मान क्या होगा ताकि धारा सुरक्षित सीमा से अधिक न हो? $.....\, \Omega$.

एक अर्धचालक (semiconductor) प्रबल विद्युत धारा के कारण क्षतिग्रस्त हो जाता है,इसका कारण है: